失效分析当产品丧失规定的功能，即被认定为失效。失效分析的过程是根据失效模式和现象，通过分析和验证，模拟使用场景并进行问题复现，找出失效原因，挖掘其失效机理。寻找导致零件、元器件和材料失效的物理或化学过程，终的目的还是希望通过确认失效模式来分析失效机理，明确失效原因，终给出预防对策，以减少或避免失效的再次发生。
失效分析的原则：先进行非破坏性分析，后进行破坏性分析；先外部分析，后内部（解剖）分析；先调查了解与失效有关的情况（应用条件、失效现象等），后分析失效器件。
分析方法| 分析类别 | 分析方法 | 分析细节及目的 |
|---|---|---|
| 非破坏性分析 | 电性分析 | 利用集成测试机检测芯片电性参数，确定数据异常类型，进而确定芯片状态 |
| X光分析 | 利用X射线得到的图像检查键合线，芯片连接和引线框架，空隙等，确定失效点 | |
| XIV曲线分析 | 利用XMOS，BJT或IC的半导体参数测量，与良品进行对比，确定差异范围 | |
| 光学显微镜 | 观察器件表面是否存在缺陷 | |
| 热辐射传导异常侦测 | 侦测漏电发生是否均匀，可找出局部漏电较大位置，定向分析缺陷 | |
| 激光束电阻异常侦测 | ||
| 破坏性分析 | 开盖分析 | 利用化学或物理方法去除芯片外壳的保护层，裸露芯片，确定芯片或引线键合缺陷 |
| 弹坑实验 | 检查焊线焊点是否对芯片金属层以下的各层结构造成损伤 | |
| 层次去除 | 观察器件下层次是否出现异常 | |
| 扫描式电子显微镜 | 更大的放大倍率，可以清晰观察样品表面或切面结构;并分析表面所含元素成分 | |
| 聚焦离子束显微镜 | 可局部定点挖取样品，观察缺陷处器件结构以及形貌 |
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