SGT MOSFET矽普半导体推出SGT系列MOSFETs，与传统沟槽型MOSFET相比，SGT MOSFET采用了更优的工艺设计，内阻低、开关损耗小，同等功耗下芯片面积可减少40%，EAS能力更强，具有高稳定性和可靠性、高开关速度、更优异的FOM等优点。我们推出TO-252、TO-263、DFN2*2、DFN3*3、DFN5*6、SOP-8多种封装外形，为客户设计提供更多更优选择。SGT MOSFE作为开关器件应用于新能源电动车、新型光伏发电、节能家电等领域的电机驱动系统、逆变器系统及电源管理系统，是核心功率控制部件。
产品列表产品选型下载| Part Number | Package | Type | Vds | Vgs | ID Ta=25℃ | VTH | Ron@Vgs=10V Typ | Ron@Vgs=4.5V Typ | Status |
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| (V) | (V) | (A) | (V) | (mΩ) | (mΩ) | ||||
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